蝕（shí）刻技術屬於感光化（huà）學技術領域， 是用光刻腐蝕加工薄形精密金（jīn）屬製品的一種方（fāng）法。
產品：
其基（jī）本原理是利用化學（xué）感光（guāng）材料的光敏特性, 在基體金屬基片兩麵均勻塗敷感光（guāng）材料采用（yòng）光刻方法（fǎ）, 將膠膜板上柵網產顯形狀精確地複（fù）製到金屬基片兩麵的感光層掩膜上通過顯影去除未感光部分的掩膜（mó）, 將裸露的金（jīn）屬部分在後續的加工中與腐蝕液直接噴壓接觸而被（bèi）蝕除（chú）, 最終獲（huò）取所需的幾何形狀及高（gāo）精度尺寸的產品（pǐn）技（jì）術蝕刻技術。
蝕刻一共有兩大類：1：幹式蝕刻; 2:濕式蝕（shí）刻。
蝕刻技（jì）術是（shì）利用（yòng）特定的溶液與薄膜間所進（jìn）行的化學反應來去除薄膜未被光阻覆（fù）蓋的部分，而達到蝕刻的目的，這種（zhǒng）蝕刻方式也就是所謂的濕式蝕（shí）刻。因為（wéi）濕式蝕刻是利（lì）用化學反應（yīng）來進行薄膜的去除，而化學反應本身不具方向性（xìng），因此濕式蝕刻過程為等向（xiàng）性，一般而言（yán）此方式不足以定義3微米以（yǐ）下的線寬（kuān），但對於3微米以上（shàng）的線寬定義濕式（shì）蝕刻仍然為（wéi）一可選擇采用的技（jì）術。
濕式（shì）蝕（shí）刻的優（yōu）缺點
濕式（shì）蝕（shí）刻的優（yōu）缺點
低成本、高可靠性（xìng）、高產能及優越的蝕刻選擇比。但相對於幹式蝕（shí）刻，除（chú）了無法定義較細的線寬外，濕式蝕刻仍（réng）有以下的缺點（diǎn）：1) 需花費較高成本的反應溶液及去離子水；2) 化學藥品處理時人員所遭遇（yù）的安全問（wèn）題；3) 光（guāng）阻附著性問題；4) 氣泡形成及化學蝕刻液無法（fǎ）完全與晶（jīng）圓（yuán）表麵接觸所造成的不完全及不均（jun1）勻的蝕刻；5) 廢氣（qì）及潛在的爆炸性。
濕式蝕刻過程（chéng）可分為三個（gè）步驟：1) 化學蝕刻液擴散至待蝕刻材料之表麵；2) 蝕刻液與（yǔ）待蝕刻材料發（fā）生化學反（fǎn）應（yīng）； 3) 反應後之產物從（cóng）蝕刻材料之表（biǎo）麵擴散至（zhì）溶液中，並隨溶液（yè）排出(3)。三個步驟中進行最慢者為（wéi）速率控製步驟（zhòu），也就是說該步驟的反應速率即為整個反應之速率。
大部（bù）份的蝕刻過程包含了一個或多個化學反應步驟，各種形態的反應都有可能發生，但常遇到的反應是將待蝕刻（kè）層（céng）表麵先予以氧化，再將此氧化層溶解，並隨溶液排出（chū），如此反複進行以達到蝕刻的效果。如蝕（shí）刻（kè）矽、鋁（lǚ）時即是（shì）利用此種化（huà）學反應方式。
濕式蝕（shí）刻的（de）速率
通常可藉由改變溶液濃度及溫度予以控製。溶液濃（nóng）度可改變反應物質到達及離開待蝕刻物表麵（miàn）的速（sù）率，一般而言，當（dāng）溶（róng）液濃（nóng）度增加時，蝕刻速率將（jiāng）會提高。而提高溶（róng）液溫度可加速化學反應速率，進而加速蝕（shí）刻速率。
除了溶液的選（xuǎn）用外，選擇適用的屏蔽物質亦是十分重要的，它必須與待蝕刻材（cái）料表麵有很（hěn）好的附著性、並能承受（shòu）蝕刻溶液的侵蝕且穩定（dìng）而不變質。而光阻通常是一個很好的屏蔽材料，且由於其圖案轉印步驟簡單（dān），因此常被使用。但使用光阻作為屏蔽材料時也會發生邊緣（yuán）剝離或龜裂的情形（xíng）。邊緣剝離乃由於蝕刻溶液的侵蝕，造成光阻與基材間的黏著性變差所致。解決的方法則可使用（yòng）黏著促進劑來增加光阻與基材間的黏著性，如Hexamethyl-disilazane (HMDS)。龜裂（liè）則是因為光阻與基材間的應（yīng）力差（chà）異太大，減緩龜裂的（de）方法可利用較具彈性的屏蔽材質來（lái）吸收兩者間的應力差。
蝕刻化學（xué）反應過程中所產生的氣泡常會造成蝕刻的不均勻性（xìng），氣（qì）泡（pào）留滯於基材上阻止了蝕刻溶（róng）液與待蝕刻物表麵的接觸，將使得蝕刻速率（lǜ）變（biàn）慢或停（tíng）滯，直到氣泡離開基材表麵。因此在這種情況下會在溶液中加入一些催化劑增進蝕刻溶（róng）液與待蝕刻物表麵的接觸，並在蝕（shí）刻過程中予於攪動以加速氣泡的脫（tuō）離。
